Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
diode collecteur-base — kolektorinis diodas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. collector base diode vok. Kollektor Basis Diode, f rus. диод на основе коллекторного перехода, m pranc. diode collecteur base, f … Radioelektronikos terminų žodynas
collector-base diode — kolektorinis diodas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. collector base diode vok. Kollektor Basis Diode, f rus. диод на основе коллекторного перехода, m pranc. diode collecteur base, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Schottky-Diode — Handelsübliche Schottky Dioden in unterschiedlichen Gehäusen Eine Schottky Diode, auch Hot Carrier Diode oder Schottky Barriere genannt, ist in der Elektronik eine spezielle Diode, welche keinen p n Übergang (Halbleiter Halbleiter Übergang)… … Deutsch Wikipedia
Schottky-Diode — I Schọttky Diode [nach W. Schottky], Hot Carrier Diode [hɔt kærɪə ], Diode, bei der der Gleichrichtereffekt auf der Ausbildung einer Potenzialschwelle an einem Schottky Kontakt beruht. Die häufigste Ausführung ist das in Silicium Planartechnik … Universal-Lexikon
Bipolartransistor/Ersatzschaltungen — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia
Ebers-Moll Modell — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia
Ersatzschaltungen des Bipolartransistors — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia
Großsignal-Ersatzschaltbild — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia
Gummel-Poon-Modell — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia
Transportmodell — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia
